삼성전자가 차세대 D램 생산을 위한 10나노급 6세대(1c) 공정 양산에 성큼 다가섰다. 고난도 공정 경쟁에서 한발 늦었다는 평가를 받아온 삼성전자가 내부 승인을 마치며 반전 기회를 모색하고 있다.

1일 반도체 업계에 따르면 삼성전자는 지난달 말 차세대 D램 공정인 1c의 생산 준비 승인(PRA)을 완료했다. PRA는 실제 양산에 앞서 수율과 신뢰성 등 내부 핵심 성과지표(KPI)를 충족했는지를 점검하는 절차다.

1c는 10나노급 평면(2D) D램 공정 가운데 사실상 마지막 단계로 꼽힌다. 회로 폭이 약 11나노미터(㎚) 수준으로, 더 이상 평면 구조로는 미세화가 어려운 기술 한계선이다. 각 기업의 기술력이 집약되는 분야로, 업계에선 이 공정이 '초미세 D램 전쟁터'가 될 것으로 본다.

삼성전자는 1c 공정을 통해 고성능 서버용 DDR5, 모바일·인공지능(AI)용 LPDDR 등 다양한 제품을 선보일 계획이다. 향후 글로벌 고객사와의 협력도 본격화할 것으로 보인다.

특히 주목되는 건 1c 공정을 활용한 고대역폭메모리(HBM) 전략이다. HBM은 여러 개의 D램 칩을 수직으로 쌓아 만든 초고속 메모리로, AI 반도체 성능을 좌우하는 핵심 부품이다. 삼성은 업계 최초로 1c 공정을 HBM 제조에 도입할 계획이다.

현재 경쟁사인 SK하이닉스와 마이크론은 HBM4 샘플을 고객사에 공급하며 품질검증(퀄 테스트)을 진행 중인데, 이들은 기존 1b 공정을 사용하고 있다. 반면 삼성은 하반기 1c 기반 HBM4 양산을 예고하며 기술 우위를 바탕으로 시장 반전을 꾀하고 있다.

업계 관계자는 "1c 공정은 단순한 공정 전환이 아니라 삼성의 D램 경쟁력 회복을 위한 분기점"이라며 "HBM 세대 전환기에서 코너 추월을 시도하는 셈"이라고 말했다.