SK하이닉스가 차세대 고대역폭메모리(HBM) HBM4E의 하반기 샘플 공급과 2027년 양산을 목표로 개발을 진행 중이라고 밝혔다.

SK하이닉스는 23일 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "HBM4E는 고객사와 출하 일정 및 제품 스펙을 협의 중이며 내부적으로는 하반기 샘플 공급과 2027년 양산을 목표로 순조롭게 진행하고 있다"고 밝혔다. 코어다이는 높아진 고객사의 성능 요구에 대응해 10나노급 6세대(1c) 공정을 적용할 계획이다.

회사는 1c나노 공정의 성숙도도 강조했다. "1c나노는 2025년 말부터 양산에 돌입해 이미 시장에서 성능을 입증했으며, 수율과 양산 역량도 안정적인 수준에 도달했다"고 설명했다.

삼성전자가 지난달 글로벌 기술 컨퍼런스인 'GTC 2026'에서 HBM4E 실물 칩을 공개하며 하반기 샘플 출하를 예고한 가운데, SK하이닉스는 1c나노 공정의 높은 수율과 양산 성숙도를 앞세워 HBM 시장 주도권을 지킨다는 전략이다.