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산업>전기/전자

삼성 노사 갈등 길어진 사이...틈새 파고든 中 반도체

삼성전자의 반도체 생산기지인 삼성전자 평택캠퍼스 전경/삼성전자

삼성전자가 노사 갈등과 성과급 논란으로 내부 진통을 겪는 사이 중국 메모리 반도체 기업들이 공격적인 투자와 생산능력 확대를 앞세워 존재감을 키우고 있다. 업계에서는 삼성전자가 글로벌 고객사에 대한 신뢰 회복과 공급 안정성을 입증하는 것이 향후 핵심 과제가 될 것으로 보고 있다.

 

26일 업계에 따르면 화웨이는 최근 중국 상하이에서 열린 반도체 심포지엄에서 자사 고성능 칩이 오는 2031년까지 1.4나노(나노미터·10억분의1m) 공정에 상응하는 트랜지스터 밀도를 구현할 수 있을 것이라고 밝혔다. 독립적인 성능 검증 데이터는 공개되지 않았으나 미국의 대중 반도체 제재 속에서도 중국 기업들이 첨단 칩 기술 개발에 속도를 내고 있음을 보여주는 사례로 평가된다.

 

현재 글로벌 최첨단 공정은 2나노 경쟁 단계로 진입 중이다. 시장에서는 화웨이의 기술 구상이 현실화할 경우 중국이 대만 TSMC 등 글로벌 선두 기업과의 기술 격차를 상당 부분 좁힐 수 있을 것으로 내다보고 있다.

 

중국 최대 D램 업체인 창신메모리테크놀로지(CXMT) 역시 상하이 증시 상장을 통해 대규모 자금 조달에 나서며 차세대 공정 투자 확대를 추진하고 있다. 현재 허페이와 베이징에 운영 중인 3개 공장의 상반기 평균 가동률은 94%를 웃도는 것으로 전해진다. CXMT는 조달 자금 상당 부분을 생산라인 고도화와 고대역폭메모리(HBM) 연구개발에 투입해 화웨이 등 중국 AI 생태계와의 연계를 강화할 방침이다.

 

삼성전자 노사는 지난해 12월부터 이어진 성과급 갈등이 총파업 위기로 번질 정도로 극한 대치를 이어갔지만 최근 성과급 배분 방식 등에 합의하며 극적 타결을 이뤘다. 그러나 노사 갈등 장기화 과정에서 글로벌 고객사들의 공급망 불안 우려가 커지면서 메모리 공급처 다변화 움직임에 빌미를 줬다는 분석이 나온다. 삼성전자는 총파업 가능성에 대비해 일부 반도체 생산라인의 신규 웨이퍼 투입량을 줄이는 등 비상 대응에 나선 바 있다.

 

이에 삼성전자는 차세대 공정 경쟁력 강화와 첨단 패키징 역량 확보에 속도를 내며 기술 초격차 방어에 나서는 모습이다. 또한 삼성전자는 게이트올어라운드(GAA) 기반의 2나노 공정을 앞세워 차세대 반도체 시장 공략에 나서고 있다.

 

다만 업계에서는 첨단 공정의 실질 수율 확보가 최대 관건이 될 것으로 보고 있다. 삼성전자는 내부적으로 2나노 관련 주문이 2026년 기준 전년 대비 30% 이상 증가할 것으로 보고 관련 로드맵을 가동 중인 것으로 전해진다. 업계에서는 단기적으로 수율 부담이 상대적으로 낮은 중저가 스마트폰용 엣지 AI 칩과 가전용 칩 수주부터 점진적으로 확대될 가능성이 있다는 분석도 나온다.

 

이종환 상명대 시스템반도체학과 교수는 "글로벌 고객사들은 삼성전자 내부 노사 갈등 상황 자체를 중요한 리스크 요인으로 보고 있을 가능성이 크다"며 "특히 반도체 고객사들은 공급 일정과 물량 안정성을 가장 중요하게 보기 때문에 삼성전자 입장에서는 납기 차질 없이 안정적으로 공급할 수 있다는 확신을 주는 것이 중요하다"고 말했다.

 

이어 "회사 내부 갈등이 계속 노출될 경우 고객사들도 상황을 예의주시하면서 백업 플랜을 검토할 가능성이 있다"며 "향후 삼성전자가 얼마나 빠르게 조직 안정성과 공급 신뢰를 회복하느냐가 관건이 될 것"이라고 덧붙였다.

 

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