삼성전자와 SK하이닉스가 D램 초호황 국면 속에서 차세대 메모리 기술 경쟁에 속도를 내고 있다. AI 서버와 고대역폭메모리(HBM) 수요 확대에 힘입어 글로벌 D램 시장이 급성장하는 가운데, 양사는 차세대 D램과 LPDDR6 등을 앞세워 향후 AI 메모리 주도권 확보 경쟁에 돌입하는 모습이다. 여기에 중국 CXMT까지 빠르게 시장 점유율을 확대하면서 업계 긴장감도 커지고 있다.

28일 업계에 따르면 시장조사업체 카운터포인트리서치는 최근 보고서를 통해 올해 1분기 글로벌 D램 매출이 전례 없는 AI 수요와 분기 기준 최고치를 기록한 메모리 가격 상승에 힘입어 전년 동기 대비 260% 급증한 970억달러를 기록했다고 밝혔다.

삼성전자는 이번 분기 38%의 시장 점유율을 확보하며 선두 자리를 유지했으며 SK하이닉스는 29%로 2위를 이었다. 카운터포인트리서치는 AI 데이터센터 투자 확대와 고대역폭메모리(HBM) 수요 증가, 서버용 저전력 D램(LPDDR5) 탑재 확대 등을 글로벌 D램 시장 성장의 주요 배경으로 꼽았다.

특히 삼성전자와 SK하이닉스는 차세대 모바일 D램 표준인 LPDDR6 시장 선점을 놓고 경쟁에 한창이다. AI 서버·엣지·온디바이스 AI 시장 확대에 따라 고효율·고성능 D램 수요가 증가하면서 LPDDR의 중요성 역시 한층 커지고 있기 때문이다.

삼성전자는 지난 2월 미국 샌프란시스코에서 열린 '국제고체회로학회 2026'에서 최대 14.4Gbps 전송 속도의 LPDDR6를 선보인 바 있다. 이는 10나노급 5세대(1b) 공정을 기반으로 설계했으며 LPDDR5 대비 읽기 전력을 27% 개선한 것이 특징이다.

SK하이닉스는 지난 3월 10나노급 6세대(1c) 공정을 적용한 16Gb LPDDR5 개발에 성공했다고 발표했다. SK하이닉스는 상반기 내 해당제품의 양산 준비를 마치고 올해 하반기부터 제품을 공급할 계획이다. 특히 이번 제품은 이전 세대(LPDDR5X) 대비 데이터 처리 속도를 33%, 전력효율을 20% 올렸다.

업계에서는 양사가 각기 다른 공정 기반에서 성능과 전력 효율 개선에 주력하고 있는 것으로 보고 있다. 삼성전자가 1b 공정을 바탕으로 안정성과 전력 효율 최적화에 무게를 두고 있는 한편 SK하이닉스는 선단 공정인 1c 기반으로 성능 향상에 집중하고 있다는 분석이다.

이러한 상황에서 중국 메모리 업체들의 추격도 시장 변수로 떠오르고 있다. 중국 최대 D램 업체 창신메모리테크놀리지(CXMT)의 성장세가 가팔라지면서 업계의 긴장감이 커지는 모습이다. 옴디아데이터에 따르면 D램 판매액 기준 CXMT의 시장 점유율은 지난해 2분기 3.97%에서 4분기 7.67%까지 상승했다.

더욱이 CXMT는 대규모 자금 조달을 바탕으로 생산능력 확대에도 속도를 내고 있다. 중국 상하이증권거래소는 전날 홈페이지를 통해 CXMT의 과창판(과학혁신판·과학기술주 전용 시장) IPO가 이날 상장심사위원회 심의를 통과했으며 발행 및 상장 조건과 정보공시 요건 등을 충족했다고 전했다. 회사는 이번 IPO를 통해 295억위안(한화 약 6조 5000억원)을 조달할 계획이다.

글로벌 메모리 시장은 오랫동안 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 3사가 과점 체제를 유지해 왔다. D램의 경우 3사 점유율이 90% 차지해왔지만 최근 CXMT가 빠르게 점유율을 확대하면서 업계에서도 성장 속도를 예의주시하는 분위기다.

업계 관계자는 "과거에는 중국 메모리 업체들이 범용 D램 중심으로 평가받았지만 최근에는 LPDDR과 HBM 등 고부가 제품군까지 빠르게 기술 수준을 끌어올리고 있다"며 "특히 정부 지원과 대규모 자금 조달이 이어질 경우 중장기적으로 글로벌 메모리 시장 경쟁 구도에도 영향을 줄 가능성이 있다"고 말했다.