삼성전자가 8세대 고대역폭 메모리(HBM5)를 처음 선보이며 인공지능(AI) 메모리 경쟁의 다음 세대를 열었다. 앞서 삼성전자는 업계 최초로 HBM4E 샘플을 공급한 데 이어 차세대 제품까지 공개하며 인공지능(AI) 메모리 시장 주도권 경쟁에 속도를 내고 있다

2일(현지시간) 송재혁 삼성전자 반도체(DS)부문 최고기술책임자(CTO) 사장은 대만 타이베이에서 열린 '컴퓨텍스 2026' 전시장에서 HBM5 실물 모형(목업)을 공개하며 "HBM4E에 적용한 히트 패스 블록(Heat Path Block·HPB) 기술을 HBM5에도 확대 적용할 계획"이라고 밝혔다.

이날 공개된 HBM5의 핵심은 차세대 열관리 기술인 HPB다. AI 메모리는 성능 향상과 함께 발열도 증가하는데, HPB는 물리적 레이어(PHY·메모리 칩과 외부를 연결하는 신호 처리 영역)에서 발생하는 열을 효율적으로 방출하도록 설계된 기술이다. 송 사장은 "별도의 열 전달 경로를 추가해 열 저항을 낮추고 동작 안정성을 높인 것이 강점"이라고 설명했다.

HBM5에는 반도체 위탁생산(파운드리) 2나노 공정 기반 베이스 다이가 적용된다. 베이스 다이는 HBM 적층 구조의 맨 아래에서 데이터 입출력과 제어를 담당하는 핵심 부품으로, 공정이 미세해질수록 전력 효율과 처리 성능이 향상된다. 삼성전자는 HBM4E에 적용된 4나노 공정보다 한 단계 앞선 선단 공정을 도입해 대역폭과 전력 효율을 동시에 끌어올린다는 구상이다.

송 사장은 HBM4E와 HBM5의 구체적인 출시 시점에 대해서는 "고객의 필요성과 수요 시장 상황에 따라 탄력적으로 운영할 수 있다"고 말했다. 고객사 수요와 AI 시장 성장 속도에 맞춰 제품 로드맵을 유연하게 가져가겠다는 의미로 해석된다.

삼성전자는 이번 전시에서 HBM4E 웨이퍼와 칩셋도 함께 공개했다. 삼성전자는 지난달 업계 최초로 HBM4E 샘플 공급을 시작했으며, 앞서 2월에는 업계 최초로 HBM4 양산에 돌입했다. HBM4는 올해 하반기 출시 예정인 엔비디아의 차세대 AI 플랫폼 '베라 루빈'에 탑재될 것으로 예상된다.

삼성전자가 차세대 제품 공개에 속도를 내는 것은 HBM 시장 주도권 경쟁과 맞물려 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직 적층해 데이터 처리 속도를 높인 고성능 메모리로, 생성형 AI 확산과 함께 GPU의 핵심 부품으로 자리 잡았다.

최근 삼성전자는 HBM4 양산, HBM4E 샘플 공급, HBM5 공개까지 차세대 제품 로드맵을 잇달아 선보이며 AI 메모리 시장에서 기술 경쟁력을 부각하고 있다.

송 사장은 "엔비디아를 포함한 글로벌 기업들과의 협력을 기반으로 차세대 메모리 기술 경쟁력을 지속 강화하겠다"고 강조했다.