삼성전자 메모리 반도체가 좀처럼 '초격차'를 벌리지 못하고 있다. 경쟁사들이 추격에 가속을 붙이면서 압도적인 1위도 위태로워질 수 있다는 위기감도 감돈다.

15일 업계에 따르면 삼성전자는 올해 중으로 4세대 10나노(1a) D램과 7세대 V낸드 플래시를 출시할 예정이다.

미국 마이크론이 이미 지난해 176단 낸드에 이어 올 초 1a D램 양산까지 발표한 상황, 차세대 제품에서 '세계 최초'를 뺏긴 셈이다. SK하이닉스도 지난해 176단 낸드 개발 성공 소식을 알린 바 있다.

삼성전자가 굳이 개발 성공까지 알리지는 않는다는 방침인 만큼, 2위 타이틀은 양산 시점으로 갈리게 된다. 삼성전자도 차질 없이 개발과 양산을 진행 중이라는 입장, 조만간 차세대 제품 양산에 돌입할 것으로 예상된다.

아직 기술적으로 뒤쳐지지는 않았다. 마이크론이 여전히 D램에 구형 방식인 불화아르곤(ArF)을 써서다. 삼성전자는 이미 1z부터 EUV를 적용하고 있다. 일각에서는 ArF로 1a D램을 양산하는 것 역시 기술이라고 평가하지만, 품질면에서는 EUV로 만든 D램보다 수준이 떨어질 가능성이 높다.

낸드도 마이크론은 128단에 이어 이번에도 더블스택 방식을 사용해 특별한 기술 발전이 없다. 반면 삼성 V낸드는 이번에 처음으로 더블스택을 적용할 것으로 예상되며, 200단 이상 낸드 양산에서는 타사보다 훨씬 앞설 수밖에 없다는 분석이다.

문제는 예전 같지 않은 분위기다. 삼성전자는 2016년 4월 처음 10나노급 D램을 양산한 이후 1z D램까지 '세계 최초'를 지켜내며 시장을 주도해왔다. 세계 최초로 EUV 공정을 적용한 1x D램을 양산하며 선행 기술까지 일찌감치 완성했다. 그러나 이번에 마이크론에 선두를 뺏겼을 뿐 아니라, 추격 소식도 아직 나오지 않고 있다.

삼성전자가 '초격차'를 뽐내지 못하는 가장 큰 이유로는 급격히 높아진 개발 난이도가 꼽힌다. 모든 업체가 개발에 어려움을 겪는 가운데, 누가 먼저 양산에 나서느냐에 따라 세계 최초도 바뀔 수 있다는 것.

실제로 업계에 따르면 삼성전자는 이미 지난해 1a D램 양산 준비를 거의 끝냈지만, 제품 완성도를 높이기 위해 재개발을 불사하며 양산도 늦춘 상황이다. 낸드도 처음 더블스택을 적용하면서 품질을 높이고 공정 완성을 높이기 위해 심혈을 기울이고 있다는 전언이다.

삼성전자가 신제품을 알리는 방식도 바뀌었다. 오래 전에는 개발 경쟁에 따라 양산 준비가 안된 기술도 발표했지만, 최근에는 기술 개발 사실 조차 따로 알리지 않고 있다. 양산은 기술력과는 별개로 시장 등 주변 상황까지 고려해야하는 만큼, 삼성전자가 다소 늦다는 착시 현상을 일으킬 수 있다는 얘기다.

다만 경쟁사들의 추격은 분명한 위협으로 꼽힌다. 특히 반도체 장비와 소재 등 분야에서 압도적인 기술을 보유한 미국의 행보가 심상치 않다는 평가다. 마이크론도 미국 기업으로, 꾸준히 삼성전자를 향한 경쟁 의식을 드러내고 있다. 중국도 미국 무역 규제에 다소 주춤하지만 여전히 반도체 굴기를 포기하지 않았다. 일본도 심자외선(DUV) 등 새 기술을 연구하며 회생을 노리는 상황, 최근에는 유럽까지도 합류하는 분위기다. 반면 우리나라 정부는 규제안만 늘어나고 있어 초격차를 위한 투자 조차 쉽지 않다는 지적이다..

이재용 부회장 부재가 삼성전자 내부적으로 악영향을 끼쳤을 수 있다는 추측도 있다. 어려움을 겪을 때 직접 나서 힘을 실어주고 어려운 부분을 해결하던 이 부회장이 자리를 비우면서 추진력이 적지 않게 떨어졌다는 것.

업계 관계자는 "삼성전자가 세계 최초 타이틀을 뺏기긴 했지만 기술적으로 위험한 수준은 아니다"면서도 "지금과 같이 거센 추격이 이어지고, 핵심 기술을 다수 보유한 미국이 본격적으로 나선다면 반도체 양산 경쟁력을 주력으로 하는 국내 반도체 업계도 결국 일본과 같이 외면받을 수밖에 없을 것"이라고 우려했다.

/김재웅기자 juk@metroseoul.co.kr

#삼성전자 #이재용 #EUV #초격차 #D램 #낸드 #DUV