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차세대 반도체 선점 위해...삼성·SK, R&D 투자·인재 쟁탈전 치열

삼성전자 평택캠퍼스 전경. /삼성전자

삼성전자와 SK하이닉스가 올 상반기 R&D(연구·개발) 투자 비용을 대폭 늘리는 한편 전문 기술인력 확보에도 총력전을 펼치고 있다. HBM(고대역폭메모리), AI(인공지능) 서버용 메모리 등 차세대 반도체 수요에 대응하고 중국의 기술추격에 대응하기 위한 전략이다.

 

27일 업계에 따르면 올 상반기 삼성전자의 R&D 투자 비용은 18조 641억원으로 전년 동기 대비 13% 상승했다. 같은 기간 SK하이닉스의 R&D 투자 비용은 3조 456억원으로 전년 동기 대비 32% 늘었다. 양사의 투자비용은 상반기 기준 나란히 역대최고치였다.

 

삼성전자의 DS(디바이스솔루션) 부문의 올 상반기 시설투자액은 20조7261억원으로 전년 동기 대비 5.9% 증가했다. SK하이닉스는 11조2490억원으로 전년 대비 88%가량 급증했다. 업계에서는 글로벌 경기 침체에도 불구하고 HBM 등 차세대 메모리 기술 리더십을 선점하기 위한 전략적 투자로 풀이하고 있다.

 

특히 양사는 중국과 기술 격차를 넓히기 위해 인재 확충에 박차를 가하고 있다. 중국 정부는 다수의 반도체 기업에 직간접적으로 투자해 국영기업과 개별 기업의 목표를 국가 전략과 연계하며 반도체 자급률을 끌어올리고 있다.

 

최근 중국 스마트폰 제조사 샤오미는 향후 10년간 최소 500억위안(약 9조 6000억원)을 투입하겠다며 기술자립에 가속을 더하고 나섰다. 화웨이 역시 대만 TSMC 등에서 근무했던 수백명의 엔지니어를 채용하는 등 역량 강화를 서두르고 있다. 아울러 현재 중국에 최소 11개의 반도체 팹(Fab)을 직간접적으로 운영 중이며 삼성전자와 같은 종합반도체기업(IDM)으로 변화를 추진하고 있다.

 

한국반도체산업협회는 오는 2031년쯤에는 약 5만4000명의 반도체 분야 전문 인력이 부족할 것으로 진단했다. 이는 전체 필요 인력 30만 4000명중 약 18%가량 부족한 수준이다. 특히 반도체 분야 인재들의 해외 유출 현상도 심화되고 있다. 미국의 메모리 반도체 업체 마이크론은 지난해 12월 경기 판교 한 호텔에서 삼성전자, SK하이닉스를 포함한 국내 반도체 업체의 엔지니어들을 대상으로 경력 면접을 잇달아 진행한 바 있다.

 

이에 국내 기업들은 글로벌 인재 영입과 자체적인 인재 양성에 총력을 기울이고 있다. 삼성전자는 최근 TSMC 출신 마거릿 한 NXP 반도체 부사장을 파운드리 북미 사업 총괄로 영입했다. 또한 7개 대학에 반도체계약학과를 신설하고 연간 약 3000명을 채용하는 계획을 추진 중이다. SK하이닉스 또한 올해 채용 행사 대상 대학교를 확대하는 등 인재 확보 채널을 넓히는 데 집중하고 있다.

 

업계 관계자는 "AI 시장이 급속히 확대되면서 R&D 투자와 인재 확보가 기업 경쟁력을 좌우하는 핵심 요소로 부상 중"이라며 "특히 중국의 기술 추격에 뒤처지지 않으려면 기업들의 자체 기술력 강화가 필수적"이라고 말했다.

 

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