SK하이닉스가 세계 최초로 6세대 고대역폭 메모리(HBM4) 양산 체제를 구축하며 차세대 고대역폭 메모리 시장의 주도권 선점에 한발 다가섰다. 공급사가 한정된 상황에서 엔비디아 등 주요 고객층은 가격 프리미엄을 어느 정도 감내할 전망이다.

14일 업계에 따르면 SK하이닉스는 HBM4의 내부 인증과 고객사 평가를 사실상 마무리하고 현재 엔비디아 등 주요 고객사와 물량·단가 협의 단계에 들어간 것으로 알려졌다. HBM4는 HBM3E 대비 30~40% 이상 비쌀 것으로 전망되며, 일부에서는 단품 가격이 500달러(한화 약 70만원)에 이를 수 있다는 예상도 나온다. 삼성전자와 마이크론도 연내 양산을 준비하고 있으나 단기적으로는 하이닉스 단독 구도가 이어질 가능성이 높다.

HBM4의 가격 인상폭이 큰 이유는 적층 수 확대와 대역폭 개선 등 기술 난도가 높아졌기 때문이다. 기존 12단 적층에서 최대 16단으로 늘어나면서 열·수율 관리가 까다로워졌고, I/O 속도가 10Gbps 이상으로 올라가면서 신호 무결성 확보가 필수 과제로 부상했다. 초기 양산 시 수율이 낮은 것도 단가 상승 요인으로 지목된다. 선두주자인 SK하이닉스 입장에서는 가격 프리미엄을 붙일 이유가 하나 더 늘어난 셈이다.

엔비디아가 최근 "1억 달러 투자로 50억 달러 매출을 거둘 수 있다"고 밝힌 점도 HBM4 고단가를 시장이 감내할 수 있는 배경으로 해석된다. AI 인프라의 수익성이 워낙 크기 때문에 메모리 가격이 오르더라도 전체 투자 대비 회수 가능성이 충분하다는 메시지로 풀이되고 있는 것이다. 엔비디아가 블랙웰 후속인 차세대 아키텍처 '루빈' 출시를 앞두고 있다는 점도 HBM4의 가격 수용성을 높이는 요인으로 꼽힌다.

다만 공급사 확대와 수율 안정화가 본격화되는 2026년 이후에는 단가 인상폭이 완화될 가능성도 있다. 시장 조사기관들은 HBM4를 기점으로 메모리사 간 가격 협상력이 재편될 것으로 보고 있으며, 삼성전자·마이크론의 후발 양산 진입 시점이 중요한 변수로 작용할 전망이다. 삼성전자는 HBM4 대응 차원에서 6세대 D램(1c) 생산라인 증설에 속도를 내고 있으며 평택 P4를 중심으로 1c D램 설비 전환 투자를 마무리하고 최종 샘플을 엔비디아에 제출한 것으로 알려졌다.

한편 SK하이닉스는 지난 11일 경기 이천캠퍼스에서 '2025 미래포럼'을 열고 경영진과 국내외 석학들이 글로벌 AI 시장 트렌드와 반도체 기술 발전 방향을 논의했다. 곽노정 사장은 영상 개회사를 통해 "퍼스트 무버가 되기 위한 SK하이닉스만의 딥 시퀀스를 실행해야 한다"라고 강조했다.