HBM(고대역폭메모리) 수요가 급증하면서 내년 하반기부터 범용 D램과 낸드플래시 공급 부족 현상이 나타날 것이라는 관측이 제기되고 있다. 이에 메모리슈퍼사이클 재현 기대감이 커지면서 삼성전자와 SK하이닉스의 실적 개선세에 속도가 붙을 것으로 기대된다.

15일 업계에 따르면 2026년 메모리반도체 업황이 인공지능(AI) 시장의 수요 강세에 힘입어 공급 부족 국면에 진입할 것으로 전망된다. 미국 투자 금융 회사 씨티그룹은 내년 D램과 낸드플래시의 공급 물량이 각각 수요 대비 1.8%, 4% 부족할 것으로 추정했다. 메모리 반도체 제조사들이 HBM 생산능력 확대에 설비 투자를 집중하면서 범용 D램과 낸드 증설 속도가 수요를 따라가지 못할 것이라는 판단에서다.

삼성전자와 SK하이닉스는 글로벌 낸드 시장 점유율 절반 이상을 차지하고 있는 만큼 이번 업황 개선이 실적향상에 기여할 것으로 분석된다. 올 2분기 기준 점유율은 삼성전자 32.9%, SK하이닉스 21.1%를 기록했다.

제품 가격 상승 또한 업황 회복의 신호탄으로 받아들여진다. 낸드시장은 2021년 메모리 초호황 시절을 지나 전방 시장인 스마트폰과 PC시장의 침체로 인해 2022년부터 지난해 전반까지 어려운 시기를 보냈다. 그러나 같은 년도 하반기부터 주요 공급업체들의 전략적 생산 조정이 효과를 나타내기 시작했다. 올해 들어 낸드 제조업체들은 생산량을 줄이고 비트 공급 증가율을 억제하는 방식으로 공급 조절에 나서고 있다.

이러한 조치의 결과로 올해 2분기부터는 재고가 점차 감소했으며 PC 및 스마트폰 등 주요 제조업체들의 수요가 회복됐다. 이에 D램과 낸드 가격은 각각 전분기 대비 5~10%, 3~8% 상승했다.

업계에서는 AI 기술 발전에 따라 낸드의 차세대 제품인 고대역폭낸드플래시(HBF)의 구매 수요도 증가할 것으로 내다보고 있다. HBF는 HBM과 같이 낸드를 수직으로 쌓은 고성능 반도체다. SK하이닉스는 지난 8월 차세대 낸드 시장 선점을 위해 샌디스크와 HBF 협력 파트너십을 체결한 바 있다.

특히 범용 D램 생산능력을 경쟁사 대비 많이 확보하고 있는 삼성전자의 실적 개선 흐름이 뚜렷할 것이라는 의견이 우세하다.

삼성전자는 내년 초까지 평택 제4캠퍼스(P4)에 내년 초까지 1c(6세대 10나노급) D램용 설비 투자를 마무리할 계획이다. P4는 삼성전자의 첨단 반도체 팹으로 총 4개의 페이즈(ph)로 나뉜다. 회사는 낸드와 D램 양산을 범용하는 하이브리드 라인 ph1과 D램 양산 라인인 hp3에 설비투자를 완료했다. 현재 hp4에도 D램 설비투자가 한창 진행되고 있는 것으로 알려졌다.

송명섭 iM증권 연구원은 "내년에는 HBM 업황이 둔화될 전망이나 경기 침체가 없다면 D램, 낸드 모두에서 업계 생산 증가율이 수요 증가율을 넘어서지 못할 것으로 추정된다"라며 "구형 D램과 낸드 업황은 안정세를 보일 것으로 판단된다"고 말했다.