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TSMC 美 수출 제동 움직임에...삼성 파운드리로 수주 이동 가능성 주목

미국 텍사스주 테일러시에 건설 중인 삼성전자 반도체 공장 전경/삼성전자

삼성전자가 미국 텍사스주 테일러 공장 가동을 앞둔 가운데 파운드리 사업 수주 확대에 '청신호'가 켜졌다. 대만 정부가 TSMC의 첨단 공정 해외 수출에 제동을 걸면서 2nm(나노미터·10억분의1m) 등 첨단 공정 수주 물량이 삼성전자 파운드리로 일부 이동할 수 있다는 전망이 제기되면서다.

 

23일 업계에 따르면 대만 당국이 TSMC의 최첨단 생산 공정보다 두 세대 뒤떨어진 기술만 수출할 수 있도록 하는 규정을 검토하고 있다. 현재 전 세계에서 3nm 이하 첨단 공정을 소화할 수 있는 기업이 TSMC와 삼성전자뿐이다. 애플과 엔비디아 등 파운드리 분야의 대형 고객사들이 미국 내 생산을 선호하는 가운데 TSMC가 대만 정부 규제로 인해 미국 공장에서 구형 공장만 써야 할 경우 대안으로 삼성전자를 찾을 것이라는 관측이 따른다.

 

이번에 대만 정부가 내놓은 수출 정책은 'N-2 규정'으로 대만의 최첨단 기술보다 두 세대 뒤처진 공정 기술만 해외에 도입할 수 있도록 제한한다. 앞서 대만 당국은 N-1 규정을 고수해 TSMC가 최첨단 제조 공정보다 최소 한 세대 뒤처진 모든 기술을 수출할 수 있도록 허용해 왔다.

 

대만 당국의 새로운 규정에 따르면 TSMC는 자사의 최첨단 기술보다 2~4년 뒤처진 노드만 수출하게 된다. 예를 들어 TSMC가 자국에서 1.2nm 또는 1.4나노급 제조 공정을 개발하더라도 해외 공장에서는 1.6nm급 제품만 사용할 수 있다는 설명이다. 해당 규정이 시행된다면 현재 미국 시장에 첨단 반도체 생산 시설을 적극 건설 중인 TSMC의 확장 전략에 차질이 생길 수 있을 것이라는 시각이 나오고 있다.

 

반면 삼성전자는 미국 내 첨단 공정 생산 경쟁력 강화에 속도를 내는 모습이다. 삼성전자는 2026년 미국 텍사스주 테일러 공장을 가동 예정으로 2nm 게이트올어라운드(GAA) 공정 생산에 집중하는 방향으로 전략을 추진하고 있다. 공정 공사율도 3분기 말 기준 93.6%다.

 

특히 삼성전자는 테일러 공장에 내년 2분기부터 2027년까지 월 1만5000장 이상의 2nm 웨이퍼를 생산할 수 있는 장비를 들일 계획이다. 앞서 수주한 테슬라 등 첨단 AI반도체를 해당 팹에서 양산한다는 방침이다. 테슬라는 지난 7월 차세대 완전자율주행칩 AI6을 삼성전자 테일러 팹에 맡기기로 하고 165억달러 규모의 계약을 체결한 바 있다.

 

일각에서는 대만 당국의 TSMC 첨단 공정 수출 통제 움직임이 SK하이닉스에는 달갑지 않은 소식이 될 수 있다는 의견도 따른다. SK하이닉스는 직접적인 파운드리 경쟁사는 아니지만 엔비디아에 고대역폭메모리(HBM)를 공급하고 있으며 해당 칩의 패키징을 TSMC가 담당하는 구조다. 이로 인해 TSMC의 미국 공장 확장이 기술 규제로 제약을 받을 경우 AI칩 전반의 생산 일정에도 연쇄적인 영향이 나타날 수 있다는 분석이다.

 

이종환 상명대 시스템반도체 학과 교수는 "TSMC가 2nm 공정에서 세계적으로 가장 앞서고 있는 만큼 미국 내 공정을 구축할 경우 기술 유출을 우려해 대만 정부가 규제를 검토하고 있는 것으로 보인다"며 "규제가 시행될 경우 삼성전자 파운드리의 2nm 공정은 일정 부분 수혜를 볼 수 있을 것으로 관측되나 실제 성과로 이어지기 위해서는 양산 안정성과 수율이 뒷받침돼야 한다"고 말했다. 이어 "다만 SK하이닉스에는 부담 요인이 될 수도 있을 것"이라며 "SK하이닉스의 HBM은 TSMC의 공정을 거쳐 빅테크 고객사에 공급되는 구조인 만큼 TSMC의 미국 내 공정 활용이 제한될 경우 대만 공장에 의존해야 하는 제약이 생길 수 있다"고 덧붙였다.

 

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