삼성전자와 SK하이닉스가 지난해 역대급 실적을 기록한 데 이어 올해도 고공행진을 예고하고 있다. AI와 데이터센터 수요 확산으로 메모리 가격이 급등하면서 양사의 영업이익 확대 기대감이 커지는 모습이다. 이러한 가운데 HBM4 시장에서 주도권 확보 여부가 향후 실적 격차를 가를 핵심 변수로 떠오르며 양사 간 경쟁도 한층 치열해질 전망이다.

3일 업계에 따르면 시장조사업체 트렌드포스는 최근 보고서를 통해 올 1분기 기준 D램 평균 가격의 전분기 대비 상승률 전망치는 당초 수치였던 55~60%에서 90~95%로 상향 조정됐다고 밝혔다. 낸드 또한 33~38%에서 55~60%로 올랐다.

이는 지난해 4분기 PC 출하량이 예상보다 많아져 PC용 D램에 대한 수요가 증가한 데 따른 것으로 풀이된다. 현재 주요 PC 주문자위탁생산업체(OEM)들은 메모리 재고 현상을 겪고 있는 것으로 전해진다.

고부가 제품으로 꼽히는 서버용 D램 또한 가격 상승세가 이어질 것이라는 의견이 우세하다. 1분기 서버용 D램의 가격은 공급 부족으로 전분기 대비 90% 올라 분기별 역대 최고 상승률을 기록할 것으로 전망된다. 스마트폰에 쓰이는 LPDDR5X 등 저전력 D램의 1분기 계약 가격 또한 전 분기 대비 90% 급등할 것으로 관측된다.

낸드 역시 메모리사들이 D램 생산에 집중하면서 공급이 타이트해진 영향으로 가격 상승세가 예상된다. 기업용 솔리드스테이트드라이브(eSSD)의 가격은 1분기 53~58% 상승할 것으로 보이며 낸드 전 제품 가격은 55~60% 오를 것으로 분석된다.

이에 삼성전자와 SK하이닉스가 올해도 메모리 가격 상승에 따른 실적 개선 효과를 누릴 것이라는 전망에 무게가 실리고 있다. 모건스탠리는 최근 삼성전자와 SK하이닉스의 올해 영업익 예상치를 각각 245조원, 179조원으로 제시한 바 있다. 이는 국내 증권사들의 평균 예상치를 웃도는 수준이다.

삼성전자는 그간 부담 요인으로 지목돼온 HBM 사업 부진과 D램 이익률 격차가 해소되고 있다는 평가가 따른다. SK하이닉스 또한 전 제품군 수익성이 큰 폭으로 개선되고 있다는 분석이다.

업계에서는 올해 영업이익의 수혜를 누가 더 크게 가져갈지를 가르는 변수로 HBM4 시장에서의 주도권 확보 여부를 꼽는다. 삼성전자는 엔비디아에 초격차 기술을 활용한 HBM4를 업계 최초로 양산 출하해 시장 내 존재감을 회복하겠다는 전략이다. 삼성전자는 HBM4에 6세대 10나노급 D램(1c) 공정과 삼성 파운드리 4나노 기반 베이스다이 등을 적용했다.

SK하이닉스는 TSMC의 12나노 베이스 다이와 5세대 10나노급 D랩(1b) 공정을 활용하고 있다. 최신 선단 공정을 적용하면 비용 부담 확대, 초기 수율 저하와 같은 리스크가 있기에 이를 감안한 선택으로 풀이된다.

이종환 상명대 시스템반도체학과 교수는 "HBM은 D램을 기반으로 생산되는 만큼, HBM 비중이 확대될수록 범용 D램 공급은 제한될 수밖에 없고 이는 메모리 가격 상승 요인으로 작용할 것"이라면서 "이러한 이중 효과로 올해 반도체 업체들의 수익성은 개선될 것으로 전망되며 HBM4 경쟁에서 우위를 확보하는 기업이 수입 측면에서도 더 유리할 것"이라고 말했다.