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삼성 이어 SK하이닉스, 7조 규모 美 반도체 R&D 프로젝트 합류

/SK하이닉스

세계 1위 반도체 장비업체 어플라이드머티어리얼즈(AMAT)가 최대 7조 원 규모의 반도체 연구개발(R&D) 인프라를 짓는 프로젝트에 SK하이닉스가 참여한다. 최근 삼성전자에 이어 SK하이닉스까지 참여하면서 두 기업 모두 빅테크 기업과의 협력과 차세대 메모리 개발에 속도를 낸다.

 

11일 어플라이드 머티어리얼즈는 SK하이닉스와 최근 차세대 D램과 고대역폭메모리(HBM) 개발과 도입을 가속화하기 위한 장기 협력 계약을 체결했다고 밝혔다.

 

이를 통해 SK하이닉스는 어플라이드 머티어리얼즈가 짓고 있는 '에픽(EPIC)센터' 프로젝트의 창립 멤버로 합류한다.

 

에픽센터는 어플라이드 머티어리얼즈가 최대 50억 달러(약 7조 3000억 원)를 투자해 실리콘밸리에 구축 중인 반도체 장비 R&D 시설이며 올해 가동을 목표로 하고 있다.

 

해당 시설은 반도체 제조사와 소재·부품·장비 기업들을 모아 신기술 개발과공정 개선 등을 추진한다. 지난달 삼성전자에 이어 이날 SK하이닉스도 미국 마이크론도 에픽센터 창립 멤버가 됐다.

 

SK하이닉스 관계자는 "자사 엔지니어를 에픽센터에 파견해 차세대 메모리를 위한 반도체 R&D 장기과제를 공동으로 수행할 예정"이라면서 "다만, 구체적인 일정과 규모는 정해지지 않았다"고 말했다.

 

한편, 양사는 메모리 아키텍처가 현재 양산 공정을 넘어 차세대 노드로 발전함에 따라 신소재 탐색과 복합 공정 통합 방식, HBM급 첨단 패키징 구현을 위한 연구에 우선 집중하기로 했다. 어플라이드 머티어리얼즈의 싱가포르 첨단 패키징 R&D 인프라와도 연계할 방침이다.

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