SK하이닉스가 2029년 8세대 고대역폭메모리(HBM5)를 출시할 것이라는 전망이 나왔다. 차세대 HBM 주도권 경쟁의 핵심으로 꼽히는 하이브리드 본딩 전환에 속도를 내며 기술 우위 확보에 나선 것으로 예상된다

6일 시장조사업체 카운터포인트 리서치에 따르면 SK하이닉스는 어플라이드 머티어리얼즈와 BE 세미컨덕터 인더스트리즈(BESI)의 통합 하이브리드 본딩 솔루션을 조기 도입하기로 했다. 해당 기술은 대역폭과 지연시간, 전력 효율, 속도 등 인공지능(AI) 메모리에서 요구되는 핵심 성능을 동시에 개선할 수 있다며 이같이 밝혔다.

하이브리드 본딩은 기존 마이크로 범프를 사용하지 않고 반도체 칩 사이를 구리(Cu)와 구리(Cu)로 직접 접합하는 기술이다. 칩 간 간격을 줄여 두께를 낮추고 데이터 전송 속도와 전력 효율, 방열 성능을 동시에 끌어올릴 수 있어 차세대 HBM 핵심 기술로 평가된다.

현재 HBM 제품은 국제반도체표준협의기구(JEDEC) 기준 완화에 따라 최대 16단까지는 기존 TCB 공정 적용이 가능하다. 다만 엔비디아 등 주요 빅테크 업체들이 더 높은 대역폭과 효율성을 요구하고 있어 장기적으로는 하이브리드 본딩 도입이 불가피한 상황이다.

이에 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 주요 메모리 기업들은 HBM4(6세대) 이후부터 하이브리드 본딩 도입을 추진하고 있다.

SK하이닉스는 현재 차세대 HBM 공정 전환을 위한 검증 작업도 진행 중인 것으로 알려졌다. 카운터포인트 리서치는 올해 4~5월부터 본격적인 하이브리드 본딩 공정 검증이 이뤄질 것으로 예상하며, 관련 장비업체들과 기술 개발도 병행하고 있다고 전했다.