삼성전자와 SK하이닉스가 인공지능(AI) 시대 고수익 제품인 고대역폭메모리(HBM)와 차세대 메모리 시장에 역량을 집중하는 사이, 중국 업체들이 DDR5 기반 제품 등을 앞세워 상대적으로 비워진 범용 D램 시장을 빠르게 잠식하고 있다. 이에 국내 빅2는 차세대 D램 개발과 대규모 설비 투자를 앞세워 기술 초격차 방어에 나섰다.

17일 업계에 따르면 중국 양쯔메모리테크놀로지(YMTC)와 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 AI 수요 폭증과 공급부족을 기회 삼아 D램 시장 확대에 속도를 내고 있다. 특히 CXMT는 중국에서 유일하게 DDR5 규격의 D램을 대량 생산하는 기업으로, 지난해 11월에 관련 제품을 정식 공개한 이후 본격적인 상용화에 나선 상태다.

시장조사기관 트렌드포스는 최근 보고서를 통해 미국의 제재에도 불구 CXMT의 글로벌 D램 점유율이 5% 수준까지 기록했다고 밝혔다. 절대적인 수치만 놓고 보면 아직 제한적인 수준이지만 불과 5년 전까지만 해도 사실상 존재감이 미미했던 점을 감안하면 성장 속도가 가파르다는 평가다.

업계에서는 현재 중국 업체들이 차지하는 비중은 아직 크지 않으나 D램 시장 특유의 높은 가격 변동성과 공급·수요 변화에 대한 민감도를 고려할 때 시장 환경 변화에 따라 삼성전자와 SK하이닉스 등 기존 강자와의 격차가 좁혀질 수 있다는 우려도 따른다.

CXMT는 지난해 1~3분기 매출액 320억 8000만위안(약 7조원)을 기록하며 전년 동기 대비 97.8% 성장했다. CXMT가 공식 출시한 DDR5 포트폴리오는 최대 8000Mbps 속도와 16Gb·24Gb 밀도를 지원한다. 한국 기업이 주도하는 32Gb 제품과는 한 세대 정도 기술 격차가 존재하나 범용 서버와 PC시장을 공략하기에는 충분한 경쟁력을 확보했다는 시각도 제기된다.

다만 업계에서는 중국 메모리 업체들이 아직 삼성전자와 SK하이닉스 수준의 수율과 제품 신뢰성을 확보했다고 보기는 어렵다는 의견이 지배적이다. 첨단 공정 기술과 대규모 양산 경험, 글로벌 고객사 인증 측면에서는 여전히 격차가 존재한다는 분석이다.

이에 맞서 삼성전자와 SK하이닉스는 차세대 D램 공정 전환에 속도를 내며 기술 초격차 유지에 총력을 기울이고 있다. 삼성전자는 지난해 10나노급 6세대(1c) 미세공정을 적용한 FOA 개발에 성공하며 차세대 메모리 경쟁력 강화에 나섰다. SK하이닉스 또한 지난 3월 같은 공정 기반의 16Gb 저전력 D램 개발을 완료했다.

차세대 D램 생산능력을 선제적으로 확보하고 설비 투자도 빨라지고 있다. 삼성전자는 핵심 기지인 평택 P4 공장의 D램 투자 일정을 앞당기며 장비 반입에 속도를 내고 있다. 당초 계획을 일부 수정해 올해 상반기 페이즈3(Ph3) 라인에 이어 하반기에는 Ph4 라인까지 전공정 장비 셋업을 마무리할 것으로 전망된다.

SK하이닉스 역시 청주 M15X와 용인 Y1 팹 투자를 가속하며 차세대 D램 생산능력 확보에 속도를 내고 있다. 업계에서는 SK하이닉스의 내년 D램 관련 투자 규모가 올해 대비 두 배 가까이 늘어날 가능성에 무게를 싣고 있다.

업계 관계자는 "범용 D램 시장은 결국 가격과 공급 안정성이 경쟁력을 좌우하는 구조"라며 "중국 업체들의 DDR5 수율이 빠르게 올라오고 글로벌 PC 업체들과 공급 테스트가 본격화할 경우 중장기적으로 가격 경쟁 압박은 더 커질 수 있다"고 말했다.